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高壓熔斷器損耗介紹

發(fā)布時(shí)間:2013-06-06 10:02:13     關(guān)鍵字:熔斷器,  返回列表
 單根電容元件的tgQ值不得大于2%(溫度20℃,電壓10kV)。電容元件tgQ的大小直接影響快速熔斷器的絕緣性能相使用壽命。如果電容元件的tg6過(guò)大不但浪費(fèi)電能,高壓穿墻套管在一些特定情況下有可能爆炸而造成惡性事故。福建省泉州供電局一臺(tái)Dw8—35型多種高壓熔斷器電容會(huì)管的介損達(dá)6.5%,在電流速斷動(dòng)作跳問(wèn)的同時(shí)發(fā)生爆炸就是一個(gè)典型的事例.因此每臺(tái)快速熔斷器出廠,投運(yùn)或檢修后都必須進(jìn)行元件的tgQ測(cè)量,達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)后才能出廠或通電遠(yuǎn)行。
介質(zhì)損失率tgQ表示該絕緣材料在交流電場(chǎng)下能量損耗的一個(gè)參數(shù),高壓負(fù)荷開(kāi)關(guān)是外施正弦電壓與通過(guò)介質(zhì)的電流之間的相角的余角的正切。介質(zhì)損耗使流過(guò)電介質(zhì)的電流不再是超前于所加電壓90°的純電容電流(無(wú)功電流),而具有—些有功電流(損耗的電流)。跌落式熔斷器所以介質(zhì)損耗角正切就是介質(zhì)在交流電壓下電流的有功分量與無(wú)功分量之比。
     在交變電場(chǎng)下快速熔斷器損耗可以分為兩部分:其一是介質(zhì)微弱的導(dǎo)電性產(chǎn)生的泄漏電流引起的能量損耗;其二是由電介質(zhì)內(nèi)部反復(fù)極化造成分子之間不斷“摩擦”引起的損耗,損耗引起介質(zhì)發(fā)熱,發(fā)熱又加速了介質(zhì)損耗。但是在介質(zhì)絕緣強(qiáng)度穩(wěn)定的情況下,給介質(zhì)施加穩(wěn)定的正弦交流電壓時(shí)這個(gè)損耗是一個(gè)較穩(wěn)定的值tgQ表示。,
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